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NTMD6N02R2
DRAIN?TO?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
5
100
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
10
3
2
1
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.001
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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